БИОГРАФИЧЕСКАЯ
СПРАВКА
ГАМАН Василий Иванович родился 21 февраля 1929 г. в с. Андреевка Любинского
района Омской области. После окончания Омской школы №
19 поступил на физико-математический факультет Томского государственного
университета, окончив его в 1952 г. по специальности «физика». С 1952 г. –
ассистент, с 1961 г. – доцент кафедры общей физики, с 1 сентября 1964 г. по 1
декабря 2000 г. – заведующий кафедрой полупроводников и диэлектриков (с 1983 г.
– кафедра полупроводниковой электроники), с 1 декабря – профессор кафедры.
Являлся деканом радиофизического факультета с 1 марта 1970 по 21 ноября 1973 г.
Учебные
курсы, читаемые Гаманом В. И. в ТГУ: общая физика, физика твердого тела,
физика полупроводников, физика полупроводниковых приборов, твердотельная
электроника и спецкурсы «Физика МДП-структур и
приборов на их основе», «Избранные главы физики полупроводниковых приборов»,
«Кинетические явления в полупроводниках».
Научная
деятельность Гамана В. И. связана с физикой диэлектриков,
полупроводников, полупроводниковой электроникой. Одно из направлений его
деятельности − исследование электронных процессов в оксидных и
халькогенидных стеклообразных полупроводниках и тонкопленочных структурах
металл − стеклообразный полупроводник – германий (кремний, арсенид
галлия). Основное внимание уделялось изучению механизмов переноса заряда и
природы эффектов переключения и памяти. По результатом
научной работы Гаманом В. И. опубликовано более 180
работ в отечественных и зарубежных журналах, в трудах конференций, получено 15
авторских свидетельств и патентов на изобретения.
Гаман В. И., доктор физико-математических наук,
профессор, Почетный работник высшего профессионального образования Российской
федерации (1997), Заслуженный профессор ТГУ (2004). Награжден орденом «Знак
Почета», медалями «За доблестный труд. В ознаменование 100-летия со дня
рождения Владимира Ильича Ленина», «Ветеран труда», «За заслуги перед Томским гос.
университетом», значком Минвуза СССР «За отличные успехи в работе».