ХРОНОЛОГИЧЕСКИЙ СПИСОК ТРУДОВ ГАМАНА В. И.
1957
1.
Изучение
электрических свойств твёрдых диэлектриков в сильных электрических полях : дис.
… канд. физ.-мат. наук. − Томск, 1957. − 1, 135 с. : ил. −
Библиогр.: с. 127-132 (98 назв.). − (М-во высш. образования СССР. Том.
гос. ун-т им. В. В. Куйбышева).
2.
К вопросу о
полиморфных превращениях кремнезема в силикатных стеклах // Доклады АН СССР.
1957. Т. 116, № 5. С. 838-840. Библиогр.: 5 назв. Соавт.: Красильникова Л. М.
3.
О зависимости
электропроводности стекол от напряженности электрического поля // Журн. техн.
физики. 1957. Т. 27, вып. 5. С. 936-939. Библиогр.: 6 назв. Соавт.: Преснов В.
А.
4.
О связи
электрических свойств кристаллов с параметрами кристаллической решетки //
Доклады АН СССР. 1957. Т. 114, № 1. С. 67-69. Библиогр.: 10 назв. Соавт.:
Преснов В. А.
1958
5.
Изучение
электрических свойств твёрдых диэлектриков в сильных электрических полях :
автореф. дис. … канд. физ.-мат. наук. − Томск, 1958. −8 с. (М-во
высш. образования СССР. Том. гос. ун-т им. В. В. Куйбышева).
6.
Исследование
электропроводности стекол в сильных электрических полях // Известия высших
учебных заведений. Физика. 1958. № 4. С. 158-162. Библиогр.: 8 назв.
7.
К вопросу об
измерении электропроводности стекол в зависимости от напряженности
электрического поля // Известия высших учебных заведений. Физика. 1958. № 2. С.
92-94. Соавт.: Преснов В. А.
1960
8.
Зависимость
коэффициента ударной ионизации от напряженности электрического поля в
полупроводниках // Известия высших учебных заведений. Физика. 1960. № 6. С.
157-160. Библиогр.: 5 назв. Соавт.: Перкальскис Б. Ш.
9.
Лавинный пробой p-n-переходов // Известия
высших учебных заведений. Физика. 1960. № 5. С. 82-87.
10. Температурная зависимость пулевского
коэффициента силикатных и боросиликатных стекол // Известия высших учебных
заведений. Физика. 1960. № 2. С. 129-133. Библиогр.: 5 назв.
11. Электропроводность стекол в электрических
полях высокой напряженности и вопросы строения стекла // Стеклообразное
состояние : тр. третьего Всесоюз. совещ. Ленинград, 16-20 ноября 1959 г. М.;
Л., 1960. С. 251-254. Соавт.: Преснов В. А., Красильникова Л. М.
12. Эффект сильного поля в германиевых p-n-переходах // Известия
высших учебных заведений. Физика. 1960. № 2. С. 3-9. Библиогр.: 9 назв. Соавт.:
Перкальский В. А., Каллестинов Г. В.
1961
13. О законе нарастания обратного тока в
германиевых p-n-переходах
// Известия высших учебных заведений. Физика. 1961. № 2. С. 110-113. Библиогр.:
5 назв.
1962
14. Влияние покрытия из низкоплавких стекол на
характеристики кремниевых p-n-переходов //
Электронно-дырочные переходы в полупроводниках. Ташкент, 1962. С. 254-258.
Соавт.: Преснов В. А., Сироткин А. А.
15. Влияние низкоплавких стекол системы As–S–J на
вольтамперные характеристики кремниевых р–п-переходов // Поверхностные
свойства полупроводников. М., 1962. С. 207-211. Соавт.: Сироткин А. А., Стенина
В. М.
16. Температурная зависимость обратных токов
германиевых p-n- переходов //
Электронно-дырочные переходы в полупроводниках. Ташкент, 1962. С. 101-105.
Соавт.: Калыгина В.М.
1963
17. Межвузовская научно-техническая конференция
по физике полупроводников (поверхностные и контактные явления). [Томск. Сент.
1962 г.] // Известия высших учебных заведений. Физика. 1963. № 1. С. 176-177.
Соавт.: Преснов В. А.
18. Эффект сильного поля и температурная
зависимость обратных токов вплавных германиевых переходов // Известия Ленингр.
электротехн. ин-та. 1963. Вып. 51 : тр. 3-й межвуз. конф. по современной
технике диэлектриков и полупроводников, июнь 1960 г. С. 19-24. Библиогр.: 5
назв. Соавт.: Гительсон Г. М., Перкальскис Б. Ш.
1964
19. Защита полупроводниковых приборов
неорганическими стеклами // Поверхностные и контактные явления в
полупроводниках. Томск, 1964. С. 131-138. Библиогр.: 11 назв. Соавт.: Сироткин
А. А., Михайлова Т. Г., Преснов В. А.
20. К вопросу о природе обратных токов
германиевых и кремниевых р–п-переходов // Поверхностные и контактные
явления в полупроводниках. Томск, 1964. С. 147-155. Библиогр.: 11 назв. Соавт.:
Калыгина В. М.
21. К вопросу о релаксации обратных токов
германиевых и кремниевых р–n-переходов // Известия
высших учебных заведений. Физика. 1964. № 4. С. 138-142. Библиогр.: 7 назв.
22. Релаксация обратных токов германиевых и
кремниевых р–п-переходов // Поверхностные и контактные явления в
полупроводниках. Томск, 1964. С. 139-145. Библиогр.: 7 назв. Соавт.:
Калыгина В. М.
1965
23. Переходные процессы в плоскостных диодах
при прохождении импульса прямого тока // Известия высших учебных заведений.
Физика. 1965. № 6. С. 27-34.
24. Переходные процессы в полупроводниковых
диодах с тонкой базой // Известия высших учебных заведений. Физика. 1965. № 1.
С. 50-56.
25. Переходные процессы в полупроводниковых
диодах при наличии электрического поля в базе // Известия высших учебных
заведений. Физика. 1965. № 2. С. 73-77.
26. Переходный процесс при мгновенном
переключении полупроводникового диода из прямого направления в нейтральное //
Известия высших учебных заведений. Физика. 1965. № 5. С. 77-79. Соавт.:
Калыгина В. М.
1966
27. Анализ переходных процессов в
полупроводниковых диодах методом заряда // Известия высших учебных заведений.
Физика. 1966. № 2. С. 119-122.
28. К вопросу о переходных процессах в
полупроводниковых диодах на высоких уровнях инъекции // Известия высших учебных
заведений. Физика. 1966. № 5. С. 142-146. Библиогр.: 6 назв. Соавт.: Зайдман С.
А.
29. Определение эффективного времени жизни
неосновых носителей по кривой нарастания напряжения на р–п переходе //
Известия высших учебных заведений. Физика. 1966. № 3. С. 29-34. Библиогр.: 6
назв. Соавт.: Калыгина В. М., Агафонников В. Ф.
30. Определение эффективного времени жизни
неосновых носителей по кривой нарастания напряжения на р–п переходе //
Физика р–п-переходов. Рига, 1966. С. 122-127. Соавт.: Калыгина В. М.,
Агафонников В. Ф.
31. Переходной процесс при переключении диода с
тонкой базой // Известия высших учебных заведений. Физика. 1966. № 1. С. 18-20.
Соавт.: Зайдман С. А.
1967
32. Влияние анизотропного давления на обратные
токи и время жизни неосновных носителей в германиевых диодах // Известия высших
учебных заведений. Физика. 1967. № 6. С. 54-57. Библиогр.: 8 назв. Соавт.:
Агафонников В. Ф.
33. Влияние анизотропного давления на параметры
германиевых диодов // Известия высших учебных заведений. Физика. 1967. № 8. С.
114-146. Соавт.: Агафонников В. Ф.
34. Влияние рентгеновского излучения на кремний
и кремниевые р–п-переходы. III. Эффект Френкеля в
кремниевых диодах при рентгеновском облучении // Известия высших учебных
заведений. Физика. 1967. № 6. С. 150-152. Соавт.: Кривов М.А., Малянов С.В.
35. Влияние рентгеновского излучения на
электрофизические свойства германия и германиевых р–п-переходов. IV. Изменение обратных вольтамперных характеристик германиевых
диодов при облучении их рентгеновскими лучами // Известия высших учебных
заведений. Физика. 1967. № 1. С. 99-104. Библиогр.: 9 назв. Соавт.: Кривов М.
А., Малянов С. В.
36. Влияние скорости поверхностной рекомбинации
на величину обратного тока германиевых диодов с тонкой базой // Известия высших
учебных заведений. Физика. 1967. № 5. С. 104-109. Библиогр.: 7 назв. Соавт.:
Калыгина В. М.
37. Влияние скорости поверхностной рекомбинации
на переходные процессы в кремниевых диодах // Известия высших учебных
заведений. Физика. 1967. № 2. С. 154-156. Соавт.: Зайдман С. А.
38. Вольтамперные характеристики тонкопленочных
систем металл–диэлектрик–металл // Радиотехника и электроника. 1967. Т. 12,
вып. 7. С. 1322-1323. Библиогр.: 10 назв. Соавт.: Базаров В. Д.
39. Длительность фазы постоянства обратного
тока при переключении полупроводникового диода // Известия высших учебных
заведений. Физика. 1967. № 12. С. 129-130.
40. Зависимость скорости поверхностной
рекомбинации базы кремниевых диодов от температуры и уровня инъекции //
Известия высших учебных заведений. Физика. 1967. № 2. С. 156-157. Соавт.:
Зайдман С. А.
41. О причинах изменения времени жизни
неосновных носителей в германии под действием анизотропного давления //
Известия высших учебных заведений. Физика. 1967. № 12. С. 97-103. Библиогр.: 17
назв. Соавт.: Агафонников В. Ф.
42. Определение скорости поверхностной
рекомбинации базы сплавных германиевых триодов // Известия высших учебных
заведений. Физика. 1967. № 10. С. 132-136. Библиогр.: 6 назв. Соавт.: Калыгина
В. М.
43. Определение скорости рекомбинации на
поверхности германиевых диодов // Электронные процессы на поверхности и в
монокристаллических слоях полупроводников : тр. симпозиума. Новосибирск, 1967.
С. 25-30. Соавт.: Калыгина В. М.
44. Определение скорости рекомбинации на
поверхности кремниевых диодов // Электронные процессы на поверхности и в
монокристаллических слоях полупроводников : тр. симпозиума. Новосибирск, 1967.
С. 22-24. Соавт.: Зайдман С. А.
45. Определение энергетического положения
рекомбинационного уровня в базе диода, полученного из термозакаленного кремния
// Известия высших учебных заведений. Физика. 1967. № 8. С. 137-139. Библиогр.:
7 назв. Соавт.: Зайдман С. А., Осиненко В. М., Зайдман Г. И.
46. Письмо в редакцию. [По поводу статьи авт.
«Переходные процессы в полупроводниковых диодах при наличии электрического поля
в базе», опубл. в «Известия высших учебных заведений. Физика». 1965. № 2] //
Известия высших учебных заведений. Физика. 1967. № 5. С. 132.
47. Тонкопленочные диоды на основе
халькогенидных стекол // Известия высших учебных заведений. Физика. 1967. № 9.
С. 80-85. Библиогр.: 6 назв. Соавт.: Базаров В. Д.
48. Эффект Френкеля в полупроводниковых диодах
// Известия высших учебных заведений. Физика. 1967. № 9. С. 92-98. Библиогр.:
10 назв.
1968
49. Влияние анизотропного давления на параметры
кремниевых диодов // Известия высших учебных заведений. Физика. 1968. № 10. С.
36-40. Библиогр.: 13 назв. Соавт.: Агафонников В. Ф.
50. Влияние анизотропного давления на скорость
поверхностной рекомбинации германия // Известия высших учебных заведений.
Физика. 1968. № 6. С. 123-125. Соавт.: Агафонников В. Ф.
51. Динамические вольтамперные характеристики
тонкопленочных диодов на основе халькогенидных стекол // Известия высших
учебных заведений. Физика. 1968. № 10. С. 7-12. Соавт.: Базаров В. Д.
52. Зависимость скорости поверхностной
рекомбинации базы сплавных германиевых диодов от уровня инъекции // Известия
высших учебных заведений. Физика. 1968. № 11. С. 124-126. Библиогр.: 7 назв.
Соавт.: Калыгина В. М., Балтаков Ф. Н.
1969
53. Влияние давления на характеристики р–п-переходов
с радиационными дефектами // Известия высших учебных заведений. Физика. 1969. №
12.. С. 141-143. Библиогр.: 7 назв. Соавт.: Агафонников В. Ф.
54. Влияние магнитного поля на вольтамперные
характеристики и переходные процессы в германиевых диодах с полуограниченной
базой // Физика и техника полупроводников. 1969. Т. 3, вып. 2. С. 188-193.
Библиогр.: 6 назв. Соавт.: Калыгина В. М., Хлестунов А. П.
55. Вольтамперные характеристики системы металл
–диэлектрик–полупроводник // Известия высших учебных заведений. Физика. 1969. №
2. С. 15-19. Библиогр.: 9 назв. Соавт.: Базаров В. Д., Резников В. А.
56. Кинетика фотодиода в режиме вентильной
фото-э.д.с. // Физика и техника полупроводников. 1969. Т. 3, вып. 2. С. 226-230.
57. Переходные процессы в полупроводниках и
диэлектрических диодах : автореф. дис. … д-ра физ.-мат. наук. (049). −
Томск : Изд-во Том. ун-та, 1969. −34 с. − Библиогр.: с. 32-34 (53
назв.).
1970
58. Продольный магнитоконцентрационный эффект в
полупроводниковых диодах // Физика и техника полупроводников. 1970. Т. 4, вып.
8. С. 1504-1510. Библиогр.: 5 назв. Соавт.: Калыгина В. М.
1971
59. Исследование основных электрических
параметров импульсных диодов из электронного и дырочного арсенида галлия //
Известия высших учебных заведений. Физика. 1971. № 10. С. 154-156. Библиогр.: 5
назв. Соавт.: Романова И. Д., Хорзов В. Н.
60. Переходные процессы в полупроводниковых
диодах и их практическое применеие // Итоги исследований по физике [1917-1967]
: тр. межвуз. науч. конф., посвящ. пятидесятилетию Великой Октябрьской соц.
революции. Томск, 1971. С. 37-49. Библиогр.: 20 назв.
61. Эффект памяти в системах
металл–халькогенидное стекло–металл // Известия высших учебных заведений.
Физика. 1971. № 12. С. 140-141. Соавт.: Резников В. А., Галанский В. Л.
1972
62. Переходные процессы в М–Д–М структурах на
основе стекла системы V₂O₅–P₂O₅ // Известия высших
учебных заведений. Физика. 1972. № 8. С. 31-35. Соавт.: Калыгина В. М.
63. Распределение радиационных дефектов в
арсениде галлия при облучении дейтонами // Физика и техника полупроводников.
1972. Т. 6, вып. 5. С. 865-868. Библиогр.: 8 назв. Соавт.: Мамонтов А. И.,
Окунев В. Д., Захаров Б. Г.
64. .Свойства М–Д–М структур на основе стекла
системы V₂O₅–P₂O₅. 1. // Известия высших учебных
заведенийФизика. 1972. № 3. С. 45-50. Библиогр.: 18 назв. Соавт.: Калыгина В.
М.
65. Свойства М–Д–М структур на основе стекла
системы V₂O₅–P₂O₅. 2. // Известия высших
учебных заведений. Физика. 1972. № 9. С. 122-124. Библиогр.: 7 назв. Соавт.:
Калыгина В. М., Макаров А. А.
66. Свойства систем металл–полупроводник–металл
на основе оксидных стекол // Известия высших учебных заведений. Физика. 1972. №
2. С. 57-63. Библиогр.: 17 назв. Соавт.: Резников В. А., Федяйнова Н. И.
67. Эффект памяти в системах металл–свинцовоборосиликатное
стекло–металл // Известия высших учебных заведений. Физика. 1972. № 7. С.
57-61. Библиогр.: 13 назв. Соавт.: Резников В. А., Галанский В. Л., Ивлева О.
М.
1973
68. Вольтамперная характеристика контакта
металл–диэлектрик с учетом термоэлектроннополевой эмиссии // Известия высших
учебных заведений. Физика. 1973. № 4. С. 123-126. Соавт.: Калыгина В. М.,
Степанов В. Е.
69. Зависимость вентильной э. д. с. и тока
короткого замыкания от интегрального потока нейтронов для р–п-переходов
из арсенида галлия // Известия высших учебных заведений. Физика. 1973. № 2. С.
149-151. Соавт.: Окунев В. Д., Мамонтов А. П., Нечипуренко Б. А.
70. О контрасте изображения диодов из арсенида
галлия в лучах катодолюминесценции // Радиотехника и электроника. 1973. Т. 18,
вып. 10. С. 2133-2135. Библиогр.: 7 назв. Соавт.: Окунев В. Д., Захаров Б. Г.
71. Фотоиндуцированный разряд тонких пленок
поли-N-винил-карбазола // Доклады юбилейной
научно-технической конференции радиофизического факультета / Том. гос. ун-т.
Томск, 1973. Ч. 1 : Секция физики полупроводников и диэлектриков. С. 147-151.
Библиогр.: 6 назв. Соавт.: Беззубаев В. П.
72. Фоточувствительность сенсибилизированного
поли-N-винилкарбазола // Доклады юбилейной научно-технической конференции
радиофизического факультета / Том. гос. ун-т. Томск, 1973. Ч. 1 : Секция физики
полупроводников и диэлектриков. С. 152-156. Библиогр.: 6 назв. Соавт.:
Беззубаев В. П., Горбачев С. Г., Сироткина Е. Е., Филимонов В. Д.
73. Фото-э.д.с., возникающая в р–п-переходах
на основе GaAs под действием собственного рекомбинационного
излучения // Известия высших учебных заведений. Физика. 1973. № 1. С. 138-139.
Соавт.: Окунев В. Д.
74. Электрические характеристики МДМ структур
на основе стекла системы V₂O₅–P₂O₅–CaO
// Известия высших учебных заведений. Физика. 1973. № 1. С. 133-135.
Соавт.: Калыгина В. М., Фатерина Н. А.
75. *[1]Эффект памяти в
ванадиево-фосфидных стеклах // Физика диэлектриков и перспективы ее развития :
Всесоюз конф. Л., 1973. Т. 3: Сб. рефератов. Соавт.: Калыгина В. М. Реф. в РЖ
Физика 1974. 4Е457.
76. Эффект памяти в системах
металл–окисел–металл на основе поликристаллической PbO // Известия
высших учебных заведений. Физика. 1973. № 2. С. 143-146. Библиогр.: 6 назв.
Соавт.: Резников В. А.
77. Эффект памяти в системах платина–TeO₂–платина // Доклады
юбилейной научно-технической конференции радиофизического факультета / Том.
гос. ун-т. Томск, 1973. Ч. 1 : Секция физики полупроводников и диэлектриков. С.
138-142. Библиогр.: 7 назв. Соавт.: Резников В. А.
78. Эффект переключения в системе металл–CdGeAs2–металл // Известия высших учебных заведений.
Физика. 1973. № 6. С. 126-128. Соавт.: Панченко А. Г., Климов В. Н.
79. Эффекты «памяти» и переключения в системах
металл-диэлектрик-металл // Доклады юбилейной научно-технической конференции
радиофизического факультета / Том. гос. ун-т. Томск, 1973. Ч. 1 : Секция физики
полупроводников и диэлектриков. С. 133-137. Библиогр.: 17 назв.
1974
80. Перераспределение точечных дефектов при
диффузии цинка в арсенид галлия // Арсенид галлия. Томск, 1974. Вып. 4. С.
91-94. Библиогр.: 8 назв. Соавт.: Окунев В. Д., Захаров Б. Г., Хлудков С. С.,
Цимберова И. С.
81. Эффект памяти в ванадиево-фосфорных стеклах
// Известия высших учебных заведений. Физика. 1974. № 8. С. 59-64. Соавт.: Калыгина
В. М., Минаев В. С., Топалова Л. И.
1975
82. Механизм деградации переключателей на
основе халькогенидных стекол. 1. Состояние с низкой проводимостью; 2. Состояние
с высокой проводимостью // Известия высших учебных заведений. Физика. 1975. №
3. С. 50-60. Соавт.: Бадлуев А. И.
1976
83. Инфракрасные спектры стекол системы CaO–V₂O₅–P₂O₅ и пленок на их основе //
Физика и химия стекла. 1976. Т. 2, № 2. С. 109-113. Библиогр.: 9 назв. Соавт.:
Ряннель Э.Ф., Калыгина В. М.
84. Механизм токопереноса в системах
металл-диэлектрик–металл на основе ванадиево-фосфорных стекол // Известия
высших учебных заведений. Физика. 1976. № 2. С. 107-115. Библиогр.: 12 назв.
Соавт.: Калыгина В. М., Ряннель Э. Ф.
85. Механизм эффекта переключения в халькогенидных
стеклах // Структура и свойства некристаллических полупроводников : тр. 6-й
междунар. конф. по аморфным и жидким полупроводникам, Ленинград, 18-24 ноября
1975 г. Л., 1976. С. 495-499. Соавт.: Бадлуев А. И.
86. Оптическое поглощение в пленках V2O5 и
ванадиево-фосфатных стекол // Известия высших учебных заведений. Физика. 1976.
№ 2. С. 102-106. Библиогр.: 18 назв. Соавт.: Ряннель Э. Ф., Калыгина В. М.
1977
87. Термостимулированные токи диэлектрической
релаксации в системах металл–ванадиево-фосфатное стекло–металл // Известия
высших учебных заведений. Физика. 1977. № 2. С. 92-100. Библиогр.: 6 назв.
Соавт.: Ряннель Э. Ф., Косинцев В. И.
1978
88. Влияние температурных режимов на
электрические характеристики тонкопленочных структур металл-ванадиево-фосфатное
стекло-металл // Известия высших учебных заведений. Физика. 1978. № 2. С.
36-43. Соавт.: Калыгина В.М., Ряннель Э. Ф.
89. Диэлектрические свойства тонких пленок
ванадиево-фосфатного стекла // Известия высших учебных заведений. Физика. 1978.
№ 11. С. 61-69. Соавт.: Калыгина В. М., Косинцев В. И.
90. Изучение процессов деградации излучающих р–п-переходов
на основе твердого раствора GaAsInP // Четвертое Всесоюз.
совещание по исследованию арсенида галлия, 19-21 сент. 1978 г. : тез. докл.
Томск, 1978. С. 42. Соавт.: Ковалев И. К., Рыженко О. Н., Цимберова И. С.
91. Исследование прямой ветви вольт-амперной
характеристики р-π-п-структур на основе GaAs (Fe) // Четвертое Всесоюз. совещание по исследованию арсенида
галлия, 19-21 сент. 1978 г. : тез. докл. Томск, 1978. С. 74. Соавт.: Виллисов
А. А., Диамант В. М., Фукс Г. М.
92. Механизм срыва обратной вольт-амперной
характеристики р-π-п-структур на основе GaAs (Fe) // Четвертое Всесоюз. совещание по исследованию арсенида
галлия, 19-21 сент. 1978 г. : тез. докл. Томск, 1978. С. 72. Соавт.: Диамант В.
М., Фукс Г. М.
93. Практикум по физике полупроводниковых
приборов. − Томск : Изд-во Том. ун-та, 1978. − 72 с.: ил.
94. Фотоэлектрические характеристики
р-π-п-структур на основе GaAs(Fe) //
Четвертое Всесоюз. совещание по исследованию арсенида галлия. 19-21 сент. 1978
г. : тез. докл. Томск, 1978. С. 73. Соавт.: Вилисов А. А., Диамант В. М., Фукс
Г. М.
95. Элементы памяти на основе тонких пленок
ванадиево-фосфатного стекла // Известия высших учебных заведений. Физика. 1978.
№ 8. С. 80-85. Соавт.: Калыгина В. М., Ряннель Э. Ф., Бояринцев А. И.
1979
96. Практикум по физике полупроводниковых
приборов.− Томск : Изд-во Том. ун-та, 1979. − 72 с.
97. Эффект переключения в обратно смещенных π-v-n-структурах
на основе GaAs // Физика и техника полупроводников. 1979. Т. 13, № 12. С.
2302-2307. Библиогр.: 9 назв. Соавт.: Диамант В. М., Фукс Г. М.
98. Эффекты сильного электрического поля в
тонкопленочных структурах металл-халькогенидное стекло-металл // Известия
высших учебных заведений. Физика. 1979. № 8. С. 64-71. Соавт.: Бадлуев А. И.,
Минаев В. С.
1980
99.
Диэлектрические свойства тонких пленок халькогенидных стекол // Известия
высших учебных заведений. Физика. 1980. № 9. С. 35-39. Соавт.: Калыгина В. М.,
Бадлуев А. И.
100. Диэлектрические свойства тонких пленок халькогенидных стекол // Физические явления в некристаллических полупроводниках : материалы конф. «Аморфные полупроводники-80», Кишинев, 1980 г. Кишинев, 1980. С. 41-44. Соавт.: Калыгина В.М., Бадлуев А.И
101.
Практикум по оптическим и фотоэлектрическим свойствам
полупроводников.− Томск : Изд-во Том. ун-та, 1980.−65 с. Соавт.:
Потахова Г. И.
102.
Фотопроводимость
тонкопленочной структуры металл-халькогенидное стекло-металл в слабых и сильных
электрических полях // Известия
высших учебных заведений. Физика. 1980. № 9. С. 116-118. Соавт.: Бадлуев А. И.
103. Фотоэлектрические характеристики p-π-v-n-структур на основе GaAs<Fe> // Физика и
техника полупроводников. 1980. Т. 14, № 4. С. 625-628. Соавт.: Виллисов А. А.,
Диамант В. М., Фукс Г. М.
1981
104.
Генерационные свойства структур металл-GeS2-n-Ge / Редкол. журн «Изв.
вузов. Физика». − Томск, 1981. − 10 с. − Библиогр.: 2 назв. −
Деп. в ВИНИТИ 21 сентября 1981 г., № 4536-81Деп. − Соавт.: Агафонников В.
Ф., Глущук С. Ф., Терехина Л. И.
105.
Гистерезис порогового электрического поля в германиевом осциллисторе //
Журн. техн. физики. 1981. Т. 51, № 2. С. 380-383. Соавт.: Караваев Г. Ф.,
Карлова Г. Ф.
106.
Механизм токопереноса в структуре металл-Tb2GeS5Ge // Известия высших учебных заведений.
Физика. 1981. № 1. С. 3-7. Соавт.: Агафонников В. Ф., Глущук С. Ф., Терехина Л.
И.
107.
Переключающие свойства мдм структур на основе боратно-ванадатного
стекла // Известия высших учебных заведений. Физика. С. 123-125. Библиогр.: 11
назв. Соавт.: Калыгина В. М., Косинцев В. И., Модебадзе О. Е.
108.
Прямая ветвь вольтамперной характеристики p-π-v-n-структур на
основе Ga-As(Fe) // Физика и техника полупроводников. 1981. Т. 15, № 2. С.
414-418. Соавт.: Виллисов А. А., Диамант В. М., Фукс Г. М.
109.
Физика полупроводников и диэлектриков в Томском университете //
Развитие физических наук в Томском университете : [сб. статей] : к 100-летию со
дня основания (1880-1980). Томск, 1981. С. 29-51. Библиогр.: 130 назв. Соавт.:
Вяткин А. П., Кривов М. А.
110.
Экспериментальная проверка нелинейной теории поверхностно-винтовой
неустойчивости полупроводниковой плазмы // Известия высших учебных заведений.
Физика. 1981. № 5. С. 111-113. Соавт.: Караваев Г.Ф., Карлова Г.Ф.
111.
Экспериментальное исследование нелинейных свойств поверхностно-винтовой
неустойчивости в германии // Известия высших учебных заведений. Физика. 1981. №
5. С. 18-21. Соавт.: Караваев Г. Ф., Карлова Г. Ф.
112.
Электрические свойства ванадиево-боратного стекла на постоянном и
переменном токах // Известия высших учебных заведений. Физика. 1981. № 3. С.
35-38. Соавт.: Калыгина В. М., Косинцев В. И., Евстигнеев С. М., Модебадзе О.
Е., Николаев А. И.
113.
Электрические свойства МДМ структур на основе ванадиево-боратного
стекла // Известия высших учебных заведений. Физика. 1981. № 3. С. 68-73.
Соавт.: Калыгина В. М., Косинцев В. И., Модебадзе О. Е., Николаев А. И
114.
Электрофизические свойства стекол системы Ga-Pb-Te // Физика и химия стекла. 1981. Т. 7, № 1.
С. 79-82. Соавт.: Калыгина В. М., Минаев В. С., Куприянова Р. М., Соловьева В.
И.
115.
Эффект переключения и механизм токопереноса в тонких пленках дисульфида
германия / Редкол. журню «Изв. вузов. Физика». − Томск, 1981. − 13
с. − Библиогр.: 10 назв. − Деп. в ВИНИТИ 21 сентября 1981, №
4535-81Деп. − Соавт.: Агафонников В.Ф., Глущук С.Ф., Терехина Л.И.
116.
Ред.: Развитие физических наук в Томском университете : [сб. статей]. К
100 -летию со дня основания (1880-1980). − Томск : Изд-во Том. ун-та,
1981. −127 с. − Соред.: Кривов М. А.
117. Ред.: Сироткин А. А. Практикум по физике полупроводников. − Томск : Изд-во Том. ун-та, 1981. − 54, [1] с.: ил.
1982
118.
Влияние гидростатического давления на вольт-амперные характеристики π-v-n структур из GaAs:Fe // Пятое Всесоюзное
совещание по исследованию арсенида галлия, г. Томск, 21-23 сентября 1982 г. :
тез. докл. Томск, 1982. С. 138-140. Соавт.: Виллисов А.
А., Диамант В. М.
119.
Генерационные свойства мдп-структур Al-Tb2GeS5-Ge // Известия высших учебных заведений. Физика. 1982. № 7. С. 28-31.
Библиогр.: 5 назв. Соавт.: Агафонников В. Ф., Глущук С. Ф., Терехина Л. И.
120. Германиевый осциллистор в импульсном магнитном поле // Известия высших учебных заведений. Физика. 1982. № 7. С. 38-41. Библиогр.: 14 назв. Соавт.: Караваев Г. Ф., Карлова Г. Ф.
121.
Диэлектрические потери и электропроводность ванадиево-боратного стекла
на переменном токе // Известия высших учебных заведений. Физика. 1982. № 5. С.
85-89. Соавт.: Косинцев В. И., Калыгина В. М., Модебадзе О. Е.
122. Особенности вольт-амперных характеристик диодных структур на основе арсенида галлия, компенсированного примесями с глубокими уровнями // Пятое Всесоюзное совещание по исследованию арсенида галлия, г. Томск, 21-23 сентября 1982 г. : тез. докл. Томск, 1982. С. 128-130. Соавт.: Фукс Г. М.
123.
Осцилляции напряжения на p-π-v-n-структурах на основе GaAs(Fe) при прямом смещении // Известия высших
учебных заведений. Физика. 1982. № 7. С. 115-116. Библиогр.: 8 назв. Соавт.:
Фукс Г. М.
124.
Переключающие свойства стекол системы Si-Sb-Te // Известия высших
учебных заведений. Физика. 1982. № 1. С. 115-116. Библиогр.: 4 назв. Соавт.:
Калыгина В. М., Евстигнеев С. М.
125.
Свойства стекол системы Si-Sb-Te // Физика и химия стекла. 1982. Т. 8, № 5.
С. 618-621. Библиогр.: 6 назв. Соавт.: Калыгина В. М., Евстигнеев С. М., Минаев
В. С., Куприянова Р. М.
126.
Фотопроводимость p-π-v-n-структур на основе GaAs(Fe) при прямом смещении // Физика и техника
полупроводников. 1982. Т. 16, вып. 6. С. 1133-1135. Библиогр.: 4 назв. Соавт.:
Фукс Г. М.
127.
Электропроводность ванадиево-боратного стекла на постоянном токе в
слабых и сильных электрических полях // Известия высших учебных заведений.
Физика. 1982. № 5. С. 90-94. Библиогр.: 23 назв. Соавт.: Косинцев В. И.,
Калыгина В. М., Модебадзе О. Е.
128.
Отв. ред.: Пятое Всесоюзное совещание по исследованию арсенида галлия,
г. Томск, 21-23 сентября 1982 г. : тез. докл. − Томск, 1982. − 228
с.
1983
129. Вольт-амперные характеристики диодных структур на основе арсенида галлия, компенсированного марганцем или железом // Известия высших учебных заведений. Физика. 1983. № 10. С. 79-95.
130.
Гистерезис порогового магнитного поля винтовой
неустойчивости // Физика и техника полупроводников. 1983. Т.
17, № 3. С. 508-510. Соавт.: Караваев Г. Ф., Карлова Г. Ф.
131.
Журнал
"Физика" за 25 лет // За советскую науку (ТГУ). Томск, 1983. 8
дек.
132.
Свойства стекол системы Bi lin3 2O lin3 3-V
lin3 2O lin3 5-CaO // Известия высших учебных заведений. Физика.
1983. № 6. С. 31-35. Соавт.: Калыгина В. М., Косинцев В. И., Богомолова Л. Д., Модебадзе О. Е.
133. Тензоэлектрические
явления в --n-структурах // Физика
и техника полупроводников. 1983. Т. 17, № 2. С. 312-315. Соавт.: Вилисов А. А., Диамант В. М.
134. Electron
bombardment effect on the reverse I-V characteristics and tensosensibility of p+-nGaAs
diodes // Solid-State Electronics. 1983. Vol. 26, N 7. P. 699-703. Соавт.:
Brudnyi V. N., Vilisov A. A., Diamond V. M.
1984
135.
Влияние гидростатического давления на прямую
ветвь вольтамперной характеристики π-v-n-структур на основе GaAs<Fe> // Физика
и техника полупроводников. 1984. Т. 18, № 5. С. 933-936. Соавт.: Вилисов А. А., Диамант В. М.
136.
Влияние термообработки на электрические
свойства висмутованадиевого стекла // Физика и химия стекла. 1984.
Т. 10, № 5. С. 555-559. Соавт.: Калыгина В. М., Богомолова Л. Д., Косинцев В. И., Модебадзе О. Е.
137.
Пороговые характеристики поверхностно-винтовой
неустойчивости полупроводникой плазмы в германиевых пластинках // Известия
высших учебных заведений. Физика. 1984. № 7. С. 66-72. Соавт.: Караваев Г. Ф., Карлова Г. Ф., Шумская Е. Г.
138.
Экспериментальное исследование нелинейных
свойств поверхностно-винтовой неустойчивости полупроводниковой плазмы в германиевых
пластинках // Известия высших учебных заведений. Физика.
1984. № 7. С. 72-75. Соавт.: Караваев Г. Ф., Карлова Г. Ф., Шумская Е. Г.
1985
139. Измерение концентрации свободных носителей заряда в сильнолегированном арсениде галлия с помощью контакта электролит-полупроводник // Известия высших учебных заведений. Физика. 1985. № 2. С. 101-103. Соавт.: Асанов О. М., Пороховниченко Л. П.
140.
Осциллисторный эффект в кремнии // Физика
и техника полупроводников. 1985. Т. 19, № 2. С. 343-345. Соавт.: Карлова Г. Ф., Караваев Г. Ф., Шумская Е. Г.
1986
141. Поляризационные процессы в оксидных стеклообразных полупроводниках системы Bi2O3-V2O5-CaO // Физика и химия стекла. 1986. Т. 12, № 1. С. 86-91. Соавт.: Калыгина В. М., Косинцев В. И., Модебадзе О. Е.
1987
142. Измерение концентрации носителей заряда в фосфиде индия с помощью контакта электролит-полупроводник // Известия высших учебных заведений. Физика. 1987. № 5. С. 71-74. Соавт.: Асанов О. М., Зоркальцева Н. Н., Кораблева Т. В., Петрова Н. Г.
143.
Электронные процессы в оксидных стеклообразных
полупроводниках и тонкопленочных структурах на их основе // Известия
высших учебных заведений. Физика. 1987. № 6. С. 18-33. Соавт.: Косинцев В. И., Калыгина В. М.
1988
144.
Высокочувствительный датчик давления // Электронная промышленность. 1988. Вып. 4. С. 96. Соавт.: Агафонников В. Ф., Агафонникова Е. В.
145.
Effect of deep levels induced by electron irradiation upon the charge
transport mechanism and the pressure-dependent electrical properties of
forward-biased p+-n-n+ GaAs diodes // Solid-State Electron. 1988.
Vol. 31, N 6. P. 1093-1099. Соавт.: Brudnyi V. N., Diamond V. M.
1989
146. Физика полупроводниковых приборов : учеб. пособие для вузов. − Томск : Изд-во Том. ун-та, 1989. − 337, [4] с. : ил. − Библиогр.: с. 331-333 (43 назв.)
147.
Эффект переключения с памятью в структурах
металл-ванадиево-молибденовое стекло-металл // Известия высших учебных
заведений. Физика. 1989. № 1. С. 83-87. Соавт.: Калыгина В. М., Модебадзе О. Е.
1990
148.
Электропроводность стекол системы V2 О5-Pbo на постоянном и переменном токе // Физика
и химия стекла. 1990. Т. 16, № 3. С. 392-396. Библиогр.: 10 назв. Соавт.:
Калыгина В. М., Филатова И. В., Бабченко Г. А., Колтун В. И.
1991
149.
Винтовая неустойчивость
полупроводниковой плазмы в пластинках кремния при 77 К // Известия высших учебных
заведений. Физика. 1991. № 8. С. 54-60. Библиогр.: 12 назв. Соавт.: Карлова Г. Ф., Шумская Е.
Г.
150.
Линейные параметры винтовой
неустойчивости в толстых пластинах кремния при 300 К // Известия высших учебных
заведений. Физика. 1991. № 8. С. 49-53. Соавт.: Карлова Г. Ф., Шумская Е. Г.
1992
151. Винтовая неустойчивость полупроводниковой плазмы в кремниевых образцах, имеющих форму параллелепипеда // Известия высших учебных заведений. Физика. 1992. № 5. С. 103-110. Соавт.: Дробот П. Н., Карлова Г. Ф.
152.
Электрические свойства структур
металл-ванадиево-боратное стекло–арсенид галлия // Известия высших учебных
заведений. Физика. 1992. № 11. С. 99-108. Соавт.: Иванова Н. Н., Калыгина В. М., Судакова Е.
Б.
153.
Энергонезависимые элементы памяти на основе
структур металл–PbO–полупроводник // Известия высших учебных
заведений. Физика. 1992. № 7. С. 116-121. Библиогр.: 7 назв. Соавт.: Калыгина В. М., Николаев А. И.
1995
154.
Влияние термического отжига на электрические
характеристики структур металл–диэлектрик–арсенид галлия // Поверхность:
Физика, химия, механика. 1995. № 5. С. 18-26. Соавт.: Калыгина В. М., Панин А. В., Смирнова Т. П.
155.
Структуры металл-SiO2-Si,
чувствительные к аммиаку // Поверхность: Физика, химия, механика. 1995.
№ 2. С. 35-40. Соавт.: Воронков
В. П., Дученко М. И., Калыгина В. М.
156.
Термочувствительный элемент с частотным выходом
на основе кремниевого осциллистора
// Известия высших учебных заведений.
Физика. 1995. № 2. С. 48-53. Библиогр.: 10 назв. Соавт.:
Дробот П. Н.
1996
157.
Влияние водорода на электрические характеристики
МОП-структур с туннельно тонким диэлектриком // Поверхность: Рентгеновские,
синхротронные и нейтронные исследования. 1996. № 11. С. 64-73. Соавт.: Дробот П. Н., Дученко М. О., Калыгина В. М.
158.
Влияние импульсного лазерного отжига на
электрические характеристики МДП-структур на основе GaAs с подслоями серы,
селена и теллура / Ред. журн. «Изв. вузов.
Физика». − Томск, 1996. − 35 с. : ил. − Библиогр.: 16 назв.−
Деп. в ВИНИТИ 31.12.96, № 3862-В96. − Соавт.: Калыгина В. М., Панин А. В.
159.
Влияние халькогенидных элементов на
электрические характеристики границы раздела диэлектрик-GaAs / Ред.
журн. «Изв. вузов. Физика». Томск, 1996. − 27 с. − Библиогр.: 12
назв. − Деп. в ВИНИТИ 27.11.96, № 3435-В96. − Соавт.:
Калыгина В. М., Панин А. В.
1997
160.
Влияние лазерного излучения на плотность
электронных состояний границы раздела диэлектрик-арсенид галлия // Физика
и техника полупроводников. 1997. Т. 31, № 4. С. 492-497. Библиогр.: 24 назв. Соавт.:
Возмилова Л. Н., Калыгина В.
М., Панин А. В., Смирнова Т. П.
1998
161. Влияние водорода на вольт-амперные характеристики туннельных МДП-диодов на основе арсенида галлия // Известия высших учебных заведений. Физика. 1998. № 1. С. 69-83. Соавт.: Дученко М. О., Калыгина В. М.
162.
Чувствительный элемент для
обнаружения природного газа на основе структур Pd-Si // Поверхность:
Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. 1998. № 10. С. 112-115.
Соавт.: Давыдова Т. А.,
Дученко М. О., Калыгина В. М.
163.
*Oscillistor
sensors with a frequency output based on a silicon structures // Актуальные проблемы электронного приборостроения : тр. IV Междунар. конф. (АПЭП-98), Новосибирск, 23-26 сент., 1998 : В 16 т. ( 4th Intern. conf. on actual problems of
electronic instrument engineering proc. (APEIE-98),
1999
164. Влияние водорода на вольт-амперные и вольт-фарадные характеристики туннельных МДП-диодов на основе кремния // Известия высших учебных заведений. Физика. 1999. № 9. С. 3-11. Соавт.: Дученко М. О., Калыгина В. М.
165.
Effect of chalcogenide elements on the electrical characteristics of
GaAs MIS structures // Solid-State Electronics. 1999. Vol. 43, N 3. P. 583-588. Соавт.: Kalygina V. M.,
Panin A. V.
2000
166.
Газовые сенсоры на основе
полупроводниковых структур // Проблемы региональной экологии. Новосибирск,
2000. Вып. 6 : Материалы 1-й регион. науч.-практ. конф. молодежи
"Проблемы региональной экологии", Томск, 10-12 ноября 1998 года. С. 109-110. Соавт.: Грицык В. Ю., Калыгина В. М., Романов А. А.
167.
Механизм переноса заряда в n+-р-p+-структурах
на основе высокочистого кремния //
Известия высших учебных заведений.
Физика. 2000. № 7. С. 35-45. Библиогр.: 16 назв. Соавт.:
Дробот П. Н.
168. Особенности влияния монооксида углерода и метана на электрические характеристики кремниевых МДП-диодов // Актуальные проблемы электронного приборостроения, АПЭП-2000 : тр. V междунар. конф., Новосибирск, 26-29 сентября 2000: в 7 т. Новосибирск, 2000. Т.2. С. 129-133. Библиогр.: 12 назв. Соавт.: Калыгина В. М., Романов А. А.
169.
Физика полупроводниковых приборов : [учеб.
пособие для вузов по специальности «Радиофизика и электроника»,
«Оптоэлектронные приборы и системы»]. − 2-е изд., доп. и перераб. −
Томск : Изд-во науч.-техн. лит., 2000. − 425 с. : ил. − Библиогр.: c.
407-411.
2001
170. Влияние термического отжига на электрические и газочувствительные свойства туннельных МОП-диодов на основе кремния // Известия высших учебных заведений. Физика. 2001. № 11. С. 3-7. Соавт.: Балюба В. И., Грицык В. Ю., Давыдова Т. А., Калыгина В. М., Хлудкова Л. С.
171.
Пороговая частота винтовой неустойчивости
электронно-дырочной плазмы в кремниевых осциллисторах // Известия
высших учебных заведений. Физика. 2001. № 11. С. 39-44. Соавт.: Дробот П. Н.
172.
Пороговые характеристики кремниевых
осциллисторов // Известия высших учебных заведений. Физика.
2001. № 1. С. 44-49. Соавт.: Дробот П. Н.
2002
173. Сенсоры восстановительных газов на основе
МДП-диодов // Электронная промышленность. 2002. № 2/3. С.82-84. Соавт.: Балюба В. И., Давыдова Т. А., Калыгина В. М., Малаховский О. Ю., Хлудкова Л. С.
2003
174.
Временная
зависимость емкости кремниевого туннельного МОП-диода при воздействии водорода
// Известия высших учебных заведений. Физика. 2003. № 4. С. 3-13. Соавт.:
Калыгина В.М.
175. *Газочувствительные элементы на основе кремниевых МОП-диодов //
Современные проблемы физики и высокие технологии
: материалы междунар. конф. (Томск, 29 сентября - 4 октября
176. *Пороговые характеристики кремниевого
осциллистора // Современные проблемы физики и высокие технологии : материалы
междунар. конф. (Томск, 29 сентября - 4
октября
177. *Физика сложных полупроводников и полупроводниковых
структур // Современные проблемы физики и высокие технологии : материалы
междунар. конф. (Томск, 29 сентября - 4 октября
2004
178.
Исследование
характеристик полевого транзистора с p - n переходом в качестве затвора :
метод. пособие.− Томск, 2004. −15 с.: ил. Библиогр.: с. 14.
2005
179.
Подготовка специалистов в области физики и
техники полупроводников в Томском госуниверситете // Вестник Том. гос.
ун-та.
Сер. Физика. 2005. Т. 285. С. 47-52. Соавт.: Войцеховский
А. В., Гермогенов В. П., Ивонин И. В., Лаврентьева Л. Г.,
Мокроусов Г. М.
180.
Электронные процессы в полупроводниковых диодах
и структурах металл – диэлектрик - полупроводник // Вестник Том. гос.
ун-та. Сер. Физика. 2005. Т. 285. С. 112-120. Библиогр.: с. 119-120.